一、產(chǎn)品簡介

IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備是晶閘管、整流二極管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。

 該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成：

1)       門極觸發(fā)參數(shù)測試單元

2)       維持電流測試單元

3)       阻斷參數(shù)測試單元

4)       通態(tài)壓降參數(shù)測試單元

5)       電壓上升率參數(shù)測試單元

6)       擎住電流

7)       門極電阻

8)       計算機控制系統(tǒng)

9)       合格證標(biāo)簽打印

10)  夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具

二、技術(shù)條件

主要技術(shù)指標(biāo)：

  2.1  門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測試單元IGT/VGT

1.  陽極電壓：12V;

2.  陽極串聯(lián)電阻：6Ω;

3.  門極觸發(fā)電壓：0.3～5.00V±3%±10mV;

4.  門極觸發(fā)電流：2～450mA±3%±1 mA;

2.2  維持電流測試單元IH

1. 陽極電壓：12V;

2. 預(yù)導(dǎo)通電流： ＞10A,正弦衰減波；

3. 維持電流： 2～450mA  ±5%±1 mA;

4. 測試頻率：單次；

2.3  通態(tài)壓降測試單元VTM

1.     平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

2.     模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

3.  電流上升沿時間：≥5ms；

4.  通態(tài)壓降測試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；

5.  測試頻率：單次；

2.4  斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID；反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元

1.  阻斷電壓：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；

模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV

2. 正反向自動測試：

3．正/反向漏電流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；

精度：±5%±1 mA；

4. 輸出保護電壓和電流可計算機設(shè)定范圍值；在測試時電壓或漏電流超過所  設(shè)定的范圍則自動保護。  

5. 測試頻率： 50HZ

2.5  斷態(tài)電壓臨界上升率測試單元dv/dt

1.  電壓：1200V,1600V,2000V三檔，分辨率：1V，精度±5%；

2.  電壓過沖范圍：＜50V±10%

3. DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；

2.6  擎住電流I_L：100-1800mA

2.7  平板夾具壓力范圍：6-60KN，氣動加壓方式

三、功能概述

3-1測試功能范圍

該套測試設(shè)備主要可測試以下參數(shù)：

1.       門極參數(shù)測試：V_GT、I_GT

2.       維持電流測試：I_H

3.  阻斷參數(shù)測試：本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。

4.       壓降單元

本測試單元用來測量晶閘管、整流管的V_TM、I_TM、V_FM、I_FM等參數(shù)。

5、           電壓上升率參數(shù)測試：dv/dt

6、           擎住電流I_L

7、           門極電阻：適合門極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測試

3-2、測試方法和測試準(zhǔn)則及原理滿足  IEC 60747-6-2000 中關(guān)于晶閘管測試的具體規(guī)定。

(上海新能源汽車)